申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司

申请日：2021-05-28

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115411062A

主分类号：H01L27/22

分类号：H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：本发明提供一种磁性随机存储器单元阵列，包括：基底，该基底包括存储阵列区、外围电路区和逻辑区，各区分别形成有底层金属线，外围电路区介于存储阵列区与逻辑区之间；位于基底上表面的第一介质层；位于存储阵列区的第一介质层中并与存储阵列区的底层金属线对准的底电极通孔阵列，该底电极通孔阵列内填充有导电金属；位于底电极通孔阵列上的第一底电极阵列；位于外围电路区的第一介质层上的第二底电极阵列；围绕第一底电极阵列和第二底电极阵列的第二介质层；位于第一底电极阵列上的磁性隧道结单元阵列；位于第二底电极阵列上的伪磁性隧道结单元阵列。本发明能够解决底电极研磨不均匀造成铜扩散的问题。

主权项：1.一种磁性随机存储器单元阵列，其特征在于，包括：基底，所述基底包括存储阵列区、外围电路区和逻辑区，各区分别形成有底层金属线，所述外围电路区介于所述存储阵列区与所述逻辑区之间；第一介质层，位于所述基底上表面；底电极通孔阵列，位于所述存储阵列区的第一介质层中并与所述存储阵列区的底层金属线对准，所述底电极通孔阵列内填充有导电金属；第一底电极阵列，位于所述底电极通孔阵列上；第二底电极阵列，位于所述外围电路区的第一介质层上；第二介质层，其围绕所述第一底电极阵列和所述第二底电极阵列；磁性隧道结单元阵列，位于所述第一底电极阵列上；以及，伪磁性隧道结单元阵列，位于所述第二底电极阵列上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 磁性随机存储器单元阵列及其制造方法

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