申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2022-05-09

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115417775A

主分类号：C07C211/61

分类号：C07C211/61;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C23C14/24;C23C14/12

优先权：["20210513 JP 2021-081940"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.12.02#公开

摘要：本发明的一个方式提供一种驱动电压低的有机半导体器件。提供一种空穴传输层用材料、电子阻挡层用材料、电子传输层用材料、空穴阻挡层用材料、发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。提供一种发光器件，包括阳极、阴极以及上述阳极和上述阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴传输层和发光层，上述空穴传输层位于上述阳极和上述发光层之间，上述空穴传输层不与上述阳极接触，上述空穴传输层包含蒸镀膜的表面电势的电位梯度GSP_slopemVnm为20mVnm以上的发光器件的传输层用材料。

主权项：1.一种发光器件的空穴传输层用材料，其中，所述材料的蒸镀膜的表面电势的电位梯度GSP_slope为20mVm以上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 空穴传输层用材料、电子阻挡层用材料、电子传输层用材料、空穴阻挡层用材料、发光器件

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