申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-07-14

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115642145A

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L23/498

优先权：["20210719 KR 10-2021-0094187"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.24#公开

摘要：公开了半导体装置。所述半导体装置包括下布线和上布线结构。下布线包括：下填充膜，沿第一方向延伸并且包括沿第一方向具有第一宽度的第一部分以及在第一部分上沿第一方向具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分；和下阻挡膜，设置在第一部分的侧壁和底表面上、在与第一方向相交的第二方向的剖视图中设置在第二部分的侧壁上并且在第一方向的剖视图中不设置在第二部分的侧壁上。上布线结构包括：上过孔，连接到下布线；和上布线，在上过孔上沿第二方向延伸。上布线结构还包括上阻挡膜和在上阻挡膜限定的沟槽中的上填充膜。上过孔和上布线各包括上阻挡膜和上填充膜。上过孔不通过上阻挡膜与上布线分离，而是通过上阻挡膜与下填充膜的第二部分分离。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：下布线，包括：下填充膜，沿第一方向延伸并且包括沿第一方向具有第一宽度的第一部分以及在第一部分上沿第一方向具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分；以及下阻挡膜，设置在第一部分的侧壁和底表面上、在与第一方向相交的第二方向的剖视图中设置在第二部分的侧壁上并且在第一方向的剖视图中不设置在第二部分的侧壁上；以及上布线结构，包括：上过孔，连接到下布线；以及上布线，在上过孔上沿第二方向延伸，其中，上布线结构还包括上阻挡膜和在由上阻挡膜限定的沟槽中的上填充膜，其中，上过孔和上布线中的每个包括上阻挡膜和上填充膜，并且其中，上过孔不通过上阻挡膜与上布线分离，而是通过上阻挡膜与下填充膜的第二部分分离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置

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