申请/专利权人：南方科技大学

申请日：2022-07-22

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115835774A

主分类号：H10N79/00

分类号：H10N79/00;H01L23/525

优先权：["20210806 CN 2021109039100","20211229 CN 2021116419640"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2023.11.17#发明专利申请公布后的撤回;2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本发明提出一种存储器，包括多个一次编程存储元，每个一次编程存储元含有存储膜30。在一实施例中，存储膜30含有一层OTSOvonic阈值开关膜30A和一层反熔丝膜30B。在另一实施例中，存储膜30含有一层OTS膜30A，OTS膜30A的首次翻转电压Vform大于后续翻转电压Vth。该存储器是三维一次编程存储器，包括三维横向一次编程存储器和三维纵向一次编程存储器。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括一次编程存储元，所述一次编程存储元包括：第一地址线10以及第二地址线20，所述第二地址线20与所述第一地址线10相交；设置于所述第一地址线10和所述第二地址线20之间的存储膜30；所述存储膜30包括：一层OTS膜30A和一层反熔丝膜30B。

全文数据：

权利要求：

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