申请/专利权人：株洲中车时代半导体有限公司

申请日：2022-11-29

公开（公告）日：2023-03-28

公开（公告）号：CN115863288A

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L23/04;H01L23/31;H01L29/744

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.14#实质审查的生效;2023.03.28#公开

摘要：本发明提供GCT元件封装结构，包括GCT芯片，其中，GCT芯片的阳极与阳极钼片连接，阳极钼片与阳极铜块连接，阳极铜块上引出阳极裙边，GCT芯片的阴极与阴极钼片连接，阴极钼片与阴极铜座连接，阴极铜座上引出阴极裙边，GCT芯片的门极与门极引出环连接，门极引出环与门极引出法兰连接，门极引出法兰包括门极裙边，门极裙边上设置有凹形皱褶结构，凹形皱褶结构方向朝向阴极裙边，阳极裙边与阴极裙边之间设置有绝缘瓷环，门极引出法兰将绝缘瓷环分隔成上下两部分。本发明涉及的GCT元件封装结构，在减少寄生电感的同时，无需引入新材料新工艺，不受限于绝缘瓷环下部分的设计厚度。

主权项：1.一种GCT元件封装结构，其特征在于，包括GCT芯片；其中，所述GCT芯片的阳极与阳极钼片连接，所述阳极钼片与阳极铜块连接，所述阳极铜块上引出阳极裙边；所述GCT芯片的阴极与阴极钼片连接，所述阴极钼片与阴极铜座连接，所述阴极铜座上引出阴极裙边；所述GCT芯片的门极与门极引出环连接，所述门极引出环与所述门极引出法兰连接，所述门极引出法兰包括门极裙边，所述门极裙边上设置有凹形皱褶结构，所述凹形皱褶结构方向朝向所述阴极裙边；所述阳极裙边与所述阴极裙边之间设置有绝缘瓷环，所述门极引出法兰将所述绝缘瓷环分隔成上下两部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株洲中车时代半导体有限公司 GCT元件封装结构

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