申请/专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

申请日：2022-10-26

公开（公告）日：2023-02-03

公开（公告）号：CN115692489A

主分类号：H01L29/74

分类号：H01L29/74;H01L21/332

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.21#实质审查的生效;2023.02.03#公开

摘要：本发明提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构及其制造方法，从上往下依次设置有阴极和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区正下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本发明由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。

主权项：1.门极换流晶闸管GCT器件结构，从上往下依次设置有阴极铝层10和门极铝层11、阴极N+区20、门极P区21、P-区22、N-基区30、N缓冲区40、透明阳极P+区41和阳极铝层50。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 一种门极换流晶闸管GCT器件结构及其制造方法

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