申请/专利权人：歌尔微电子股份有限公司

申请日：2020-11-05

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN112458427B

主分类号：C23C16/04

分类号：C23C16/04;C23C16/24;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/56;H01L21/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.30#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开

摘要：本发明公开了一种芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片，在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构；对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；释放所述第五结构中的氮化硅和或氧化硅，获得芯片钝化层。由此通过沉积、生长、再沉积、图形化、蚀刻、释放操作，获得了工艺集成度高，且具有良好可靠性和兼容性高芯片钝化层。

主权项：1.一种芯片钝化层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构，其中，参与沉积的反应气体是SiH4与N2，SiH4与N2的稀释比为1:3；或者参与沉积的反应气体是SiH4与N2O，SiH4与N2O的稀释比为1:3，其中N2O的流速为200cmmin；在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构，其中，所述非晶硅的生长条件是：生长温度为200℃、反应室压力为1Torr、反应气体是SiH4与H2的稀释比为1:1-1:12，其中SiH4流量为100sccm；在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构，其中，所述氧化硅沉积的条件是：反应气体SiH4与N2O的稀释比为1:3，其中N2O的流速为200cmmin；对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；利用六氟化硫对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；以氢氟酸为腐蚀液，释放所述第五结构中的氮化硅和或氧化硅，获得芯片钝化层。

全文数据：

权利要求：

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