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【发明公布】一种半导体器件单元及Cascode器件_徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司_202310501663.0 

申请/专利权人:徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司

申请日:2023-05-06

公开(公告)日:2023-09-29

公开(公告)号:CN116825782A

主分类号:H01L27/07

分类号:H01L27/07

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.10.24#实质审查的生效;2023.09.29#公开

摘要:本发明涉及一种半导体器件单元及Cascode器件,属于半导体技术领域,用以解决Cascode器件可靠性低的技术问题。所述半导体器件单元包括器件主体和焊盘区,所述器件主体包括制作于一体的第一半导体器件和提升单元,所述第一半导体器件包括源极、栅极和漏极,所述提升单元包括电阻、电容和二极管中的一者或多者;所述焊盘区包括器件电极焊盘区和提升单元焊盘区,所述器件电极焊盘区包括配置于所述器件主体表面相互隔离的源极焊盘区、栅极焊盘区和漏极焊盘区;所述提升单元焊盘区包括配置于所述器件主体表面相互隔离的电阻焊盘区、电容焊盘区和二极管焊盘区中的一者或多者。本发明有效提高了Cascode器件的可靠性,简化了制造工艺。

主权项:1.一种半导体器件单元,其特征在于,包括:器件主体,其中包括制作于一体的第一半导体器件和提升单元,所述第一半导体器件包括源极、栅极和漏极,所述提升单元包括电阻、电容和二极管中的一者或多者;以及焊盘区,其中包括:器件电极焊盘区,其包括配置于所述器件主体表面相互隔离的源极焊盘区、栅极焊盘区和漏极焊盘区;以及提升单元焊盘区,其包括配置于所述器件主体表面相互隔离的电阻焊盘区、电容焊盘区和二极管焊盘区中的一者或多者。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司 一种半导体器件单元及Cascode器件

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