申请/专利权人：北京智芯传感科技有限公司

申请日：2023-05-22

公开（公告）日：2023-10-13

公开（公告）号：CN219823666U

主分类号：B81B7/02

分类号：B81B7/02;B81B7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.13#授权

摘要：本实用新型涉及一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构，所述结构包括顶层结构、键合锚点、阻挡半墙和衬底；所述顶层结构在衬底上方，通过键合锚点键合加工，所述衬底上包含键合锚点和阻挡半墙，所述衬底、键合锚点和阻挡半墙为同一块材料刻蚀形成，所述顶层结构与衬底在电学上结构上不导通。阻挡半墙的存在可防止金属淀积过程中，金属粒子反弹粘附于顶层结构和键合锚点的结合处，造成顶层结构与衬底间的短路，极大提升产品良率。

主权项：1.一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构，其特征在于，包括顶层结构、键合锚点、阻挡半墙和衬底；所述顶层结构在衬底上方，通过键合锚点键合加工；所述衬底上包含键合锚点和阻挡半墙；所述衬底、键合锚点和阻挡半墙为同一块材料刻蚀形成，所述顶层结构与衬底在电学上结构上不导通。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京智芯传感科技有限公司 一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构

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