申请/专利权人：西安西谷微电子有限责任公司

申请日：2023-07-14

公开（公告）日：2023-10-20

公开（公告）号：CN116913354A

主分类号：G11C29/12

分类号：G11C29/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.07#实质审查的生效;2023.10.20#公开

摘要：本发明公开了一种基于FPGA的SDRAM测试方法，FPGA控制芯片接收到测试指令，对待测SDRAM芯片进行走步法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行全0法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行全1法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行55AA法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行AA55法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行自定义写读法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，所述FPGA控制芯片根据测试指令对待测SDRAM芯片进行功能性测试；如果功能性测试的写入数据与读出数据依然一致，确定该SDRAM正常。

主权项：1.一种基于FPGA的SDRAM测试方法，其特征在于，该方法包括：FPGA控制芯片接收到测试指令，对待测SDRAM芯片进行走步法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行全0法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行全1法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行55AA法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行AA55法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，继续对待测SDRAM芯片进行自定义写读法写读并对比；如果写入数据与读出数据一致，所述FPGA控制芯片根据测试指令对待测SDRAM芯片进行工作电压检测、功耗检测、地址线检测、数据线检测、最大容量检测、运行频率检测、写入速度检测、读取速度检测、输出VOH检测、输出VOL检测、自定义工作电压输入检测和或自定义工作频率输入检测；如果功能性测试的写入数据与读出数据依然一致，确定该SDRAM正常。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安西谷微电子有限责任公司 基于FPGA的SDRAM测试方法

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