申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2018-07-06

公开（公告）日：2023-11-10

公开（公告）号：CN110770899B

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06;H01L27/085

优先权：["20170727 US 62/537,842"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.10#授权;2020.03.03#实质审查的生效;2020.02.07#公开

摘要：一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有竖直堆叠的存储器单元。所述存储器单元中的每个存储器单元包含与电荷存储装置耦合的晶体管，并且所述晶体管中的每个晶体管具有能带隙大于2电子伏特的沟道材料。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿竖直方向延伸的数位线和沿水平方向延伸的字线。所述存储器阵列包含存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元由所述数位线之一和所述字线之一的组合唯一地寻址。所述存储器单元中的每个存储器单元包含具有GaP沟道材料的晶体管。所述晶体管中的每个晶体管具有通过所述GaP沟道材料彼此间隔开的第一源极漏极区和第二源极漏极区。所述第一源极漏极区与所述数位线耦合，并且所述存储器单元中的每个存储器单元包含与所述相关联的晶体管的所述第二源极漏极区耦合的电容器。

主权项：1.一种存储器阵列，其包括：竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元中的每个存储器单元包括：竖直晶体管，其具有能带隙大于2电子伏特eV的沟道材料，所述竖直晶体管包括第一源极漏极区和第二源极漏极区，所述第一源极漏极区和所述第二源极漏极区相对于彼此竖直移位，并且其中所述沟道材料在竖直移位的第一源极漏极区与第二源极漏极区之间延伸；以及电容器，其与所述竖直晶体管耦合；第一组数位线，其沿相对于下面的支撑衬底的竖直方向延伸，所述电容器经配置为围绕所述第一组数位线中的一条数位线的环；第二组字线，其沿相对于所述下面的支撑衬底的水平方向延伸；以及通过来自所述第一组数位线的一条数位线和来自所述第二组字线的一条字线的组合而唯一地寻址的每个存储器单元。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 包含具有GaP沟道材料的晶体管的存储器单元

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