申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2023-10-26

公开（公告）日：2023-12-01

公开（公告）号：CN117153952A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0304

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.19#实质审查的生效;2023.12.01#公开

摘要：本发明公开了一种AlGaInP‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供AlGaInP外延片，基于所述AlGaInP外延片进行芯片制作以得到N型AlGaInP层位于P型AlGaInP层之上的初始LED芯片；采用预设浓度的清洗介质对所述初始LED芯片的表面进行清洗，并对所述初始LED芯片的表面进行吹干处理；在所述初始LED芯片的N型AlGaInP层上制作N型金属电极；在预设的退火条件下，对所述N型金属电极进行热退火处理，以得到热退火处理后的目标LED芯片。本发明解决了现有技术中在N型AlGaInP层上直接制备N型欧姆接触较难实现优异欧姆接触性能的技术问题，从而提升了光提取效率。

主权项：1.一种AlGaInP-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供AlGaInP外延片，基于所述AlGaInP外延片进行芯片制作以得到N型AlGaInP层位于P型AlGaInP层之上的初始LED芯片；采用预设浓度的清洗介质对所述初始LED芯片的表面进行清洗，并对所述初始LED芯片的表面进行吹干处理；在所述初始LED芯片的N型AlGaInP层上制作N型金属电极；在预设的退火条件下，对所述N型金属电极进行热退火处理，以得到热退火处理后的目标LED芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种AlGaInP-LED芯片及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD