申请/专利权人：上海林众电子科技有限公司

申请日：2022-04-08

公开（公告）日：2023-12-05

公开（公告）号：CN115440588B

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.05#授权;2022.12.23#实质审查的生效;2022.12.06#公开

摘要：本发明提供一种超结绝缘双极型晶体管的终结区制备方法，该方法包括：S1、提供一半导体器件；S2、从所述在所述形栅极绝缘氧化层的顶部周边向下蚀刻，以形成预定宽度及深度的沟槽一；S3、向所述沟槽一沉积形成P型硅柱，所述P型硅柱作为终结保护环，其中，形成的所述双极晶体管的崩溃电压值与所述P型硅柱的深度呈正比。其技术方案的有益效果在于，此制备工艺，是通过一个场截止型沟槽双极晶体管的制造程序，在制作N+型发射极层与P+型发射极层前，另外蚀刻出沟槽填入P型掺杂的复晶硅柱来实现，后续完成器件背晶制作。该制备方法的超结结构避免因为接面浓度交互作用产生不可预测的特性，如影响电荷平衡的问题。

主权项：1.一种超结绝缘双极型晶体管的终结区制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一半导体器件，其中，所述半导体器件包括，N型基板1，位于所述N型基板1上的N型漂移层2，位于所述N型漂移层2上的N型离子注入层3，位于所述N型离子注入层3上的P型基层7，形成于所述P型基层7、所述N型离子注入层3、所述N型漂移层2中的栅极绝缘氧化层5；S2、从所述在所述栅极绝缘氧化层5的顶部周边向下蚀刻，以形成预定宽度及深度的沟槽一8；S3、向所述沟槽一8沉积形成P型硅柱10，所述P型硅柱10作为终结保护环，其中，形成的所述双极型晶体管的崩溃电压值与所述P型硅柱10的深度呈正比。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海林众电子科技有限公司 一种超结绝缘双极型晶体管的终结区制备方法

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