申请/专利权人：北京星云联众科技有限公司

申请日：2017-06-16

公开（公告）日：2023-12-12

公开（公告）号：CN107170809B

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.12#授权;2017.10.17#实质审查的生效;2017.09.15#公开

摘要：本发明公开了一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法，该方法通过在第一次刻蚀出的凹槽基础上，再用一次或多次的各项同性介质淀积和各项异性刻蚀的方法，形成宽度达到要求的凹槽，淀积金属后即形成细栅长的栅金属。本发明实现了亚微米以下尺寸的栅，突破了光刻设备的关键尺寸限制，并且工艺简单可控。

主权项：1.一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1）在衬底材料上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；2）将步骤1）制备的产品进行清洗，然后通过光刻、剥离的方法在源、漏淀积欧姆接触金属，并进行快速热退火形成欧姆接触；3）在表面淀积钝化介质层，在所述钝化介质层上，利用光刻、刻蚀方法形成微米级的栅凹槽；然后通过原子层淀积方法各项同性的淀积第二介质层，再用感应耦合等离子体方法各项异性的刻蚀，刻蚀掉栅凹槽底部和台面上的第二介质层，保留凹槽侧壁的第二介质层；4）用光刻、蒸发、剥离工艺制作栅金属；5）栅金属完成后淀积第三介质层进行钝化保护，然后再进行一次刻孔，并淀积金属做上源场板；6）最后再进行第四介质层淀积，二次刻孔，并在源、漏、栅电极压块金属加厚，并形成介质桥的互连。

全文数据：一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法技术领域[0001]本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法。背景技术[0002]GaN作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表之一，与传统的半导体材料Si、GaAs相比，具有禁带宽度宽、击穿电场大、电子饱和漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点。特别是基于GaN材料的AlGaNGaN异质结高电子迀移率晶体管HEMT结构具有更高的电子迀移率高于1800cm2V-^和二维电子气2DEG面密度约l〇13cnf2，使得基于GaN材料器件在射频领域和电力电子领域都具有非常明显的优势。[0003]栅长是GaNHEMT器件的一个关键参数，其直接关系到射频器件的截止频率和开关器件的开关速率、导通损耗。而在亚微米以下的栅长结构往往需要借助先进的光刻设备，甚至是电子束设备进行制备，这不仅增加了设备投入、器件制作的成本，同时也降低了制作效率。发明内容[0004]针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种基于自对准工艺的GaNffiMT器件，该器件具有线宽更窄的栅凹槽。本发明的另一目的在于提供一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件的制造方法，其利用各项同性的介质淀积和各项异性的刻蚀方法，形成在光刻基础上形成的栅长更短的栅，实现亚微米以下尺寸的栅，突破光刻设备的关键尺寸限制，并且工艺简单可控。[0005]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：[0006]一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件，所述GaNHEMT器件的栅凹槽侧壁上保留有第二介质层。[0007]进一步，所述第二介质层为Si〇2层。[0008]一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：[0009]1在衬底材料上依次生长A1N成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；[0010]2将步骤1制备的产品进行清洗，然后通过光刻、剥离的方法在源、漏淀积欧姆接触金属，并进行快速热退火形成欧姆接触；[0011]3在表面淀积钝化介质层，在所述钝化介质层上，利用光刻、刻蚀方法形成微米级的栅凹槽;然后通过原子层淀积方法各项同性的淀积第二介质层，再用感应耦合等离子体方法各项异性的刻蚀，刻蚀掉栅凹槽底部和台面上的第二介质层，保留凹槽侧壁的第二介质层；[0012]4用光刻、蒸发、剥离工艺制作栅金属；[0013]5栅金属完成后淀积第三介质层进行钝化保护，然后再进行一次刻孔，并淀积金属做上源场板；[0014]6最后再进行第四介质层淀积，二次刻孔，并在源、漏、栅电极压块金属加厚，并形成介质桥的互连。[0015]进一步，步骤1中所述A1N成核层的厚度为20-100nm;GaN缓冲层的厚度为l-4wn;GaN沟道层的厚度为5〇_500nm;AlGaN势垒层的厚度为l〇-5〇nm。[0016]进一步，步骤4中在栅金属淀积前，用等离子体处理修复步骤3制备的产品表面的N缺陷。[0017]进一步，所述第三介质层为Si〇2,所述第四介质层可以为Si〇2或SiN。[0018]本发明具有以下有益技术效果：[0019]在栅金属工艺中，在钝化介质上刻蚀一定宽度的凹槽直到AlGaN势垒层表面，在凹槽中淀积金属作为栅金属。凹槽的宽度即为器件的栅长。一般情况下，往往由于设备的限制和器件设计对栅长的要求，直接用光刻、刻蚀的方法无法达到要求的栅长。本方法通过在第一次刻蚀出的凹槽基础上，再用一次或多次的各项同性介质淀积和各项异性刻蚀的方法，形成宽度达到要求的凹槽，淀积金属后即形成细栅长的栅金属。[0020]在钝化介质上，先利用一般的光刻、刻蚀方法形成微米级的栅凹槽。然后通过原子层淀积ALD方法各项同性的淀积第二介质层，再用感应耦合等离子体ICp方法各项异性的刻蚀，刻蚀掉凹槽底部和台面上的第二介质层，保留凹槽侧壁的第二介质。如此，即得到了线宽更窄的栅凹槽。最终的凹槽宽度为第一次凹槽宽度减去2倍第二介质层厚度。对深宽比比较小的栅凹槽，用一次生长刻蚀即可得到所需的线宽更小的栅凹槽。而对于深宽比比较大的栅凹槽，可以用多次的生长、刻蚀，再生长、刻蚀的方法得到最终需要线宽的栅凹槽。附图说明[0021]图1为本发明GaNHEMT器件材料结构示意图；[0022]图2为本发明GaNHEMT器件制备过程中完成源、漏欧姆接触后的器件结构示意图；[0023]图3为本发明GaNHEMT器件制备过程中完成栅凹槽后的器件结构示意图；[0024]图4为本发明GaNHEMT器件制备过程中完成栅金属后的器件结构示意图；[0025]图5为本发明GaNHEMT器件制备过程中完成源场板后的器件结构示意图。具体实施方式[0026]下面，参考附图，对本发明进行更全面的说明，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是，提供这些实施例，从而使本发明全面和完整，并将本发明的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。[0027]本发明提供了一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件的栅凹槽侧壁上保留有第二介质层;该第二介质层为Si02层。[0028]此外，本发明还提供了一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：[0029]步骤1:如图1所示，在衬底材料1上依次生长A1N成核层2、GaN缓冲层3、GaN沟道层4和AlGaN势垒层5;A1N成核层2的厚度为2〇-l〇〇nm;GaN缓冲层3的厚度为1-4_;GaN沟道层4的厚度为5〇-5〇Onm;AlGaN势垒层5的厚度为10-50nm。[0030]如图2至图5为器件制作过程中原胞的截面图。[0031]步骤2:如图2所示，将步骤1制备的产品进行清洗，然后通过光刻、剥离的方法在源、漏淀积欧姆接触金属，并进行快速热退火形成欧姆接触6;[0032]步骤3:如图3所示，在表面淀积钝化介质层7，在钝化介质层7上，利用光刻、刻蚀方法形成微米级的栅凹槽8;然后通过原子层淀积方法各项同性的淀积第二介质层，再用感应耦合等离子体方法各项异性的刻蚀，刻蚀掉栅凹槽底部和台面上的第二介质层，保留凹槽侧壁的第二介质层9;如此，即得到了线宽更窄的栅凹槽。对深宽比比较小的栅凹槽，用一次生长刻蚀即可得到所需的线宽更小的栅凹槽。最终的凹槽宽度为第一次凹槽宽度减去2倍第二介质层厚度。而对于深宽比比较大的栅凹槽，可以用多次的生长、刻蚀，再生长、刻蚀的方法得到最终需要的线宽。[0033]步骤4:如图4所示，用光刻、蒸发、剥离工艺制作栅金属10;[0034]步骤5:如图5所示，栅金属10完成后淀积第三介质层进行钝化保护，然后再进行一次刻孔，并淀积金属做上源场板11;[0035]6最后再进行第四介质层淀积，二次刻孔，并在源、漏、栅电极压块金属加厚，并形成介质桥的互连。[0036]第二介质层可以是一种或多种介质，第二介质层可以是与第一介质层相同的介质，也可以是不同的介质。优选的，第一介质选择与GaN接触性能比较好，具有较小界面态的介质，如可以是SiN等，第二介质选择比较致密、击穿场强高，同时介电常数更小的介质，如Si02等，即可以减少栅电容，也可以增加介质势垒。[0037]对于无场板结构的栅，栅凹槽完成后，淀积栅金属，确保栅金属均匀的填充凹槽。再用CMP的方法得到平整的栅金属。对于有场板结构的栅，栅金属也可以用光刻剥离的方法形成。最后得到栅长在亚微米以下的细栅结构，并且栅金属侧壁的第二介质层，即可以减少栅电容，同时由于更高的禁带宽度和击穿场强可以减少栅金属与介质间电子的隧穿，增加栅的可靠性。[0038]本发明的GaNHEMT器件，可以是基于SiC、Si、蓝宝石和GaN等各种衬底上，并发明的方法和结构并不受限于衬底。第三介质层为Si02,所述第四介质层可以为Si〇2或SiN。[0039]上面所述只是为了说明本发明，应该理解为本发明并不局限于以上实施例，符合本发明思想的各种变通形式均在本发明的保护范围之内。

权利要求：1.一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件，其特征在于，所述GaNHEMT器件的栅凹槽侧壁上保留有第二介质层。2.根据权利要求1所述的基于自对准工艺的GaNHEMT器件，其特征在于，所述第二介质层为Si〇2层。3.—种制造权利要求1-2任一所述的基于自对准工艺的GaNHEMT器件的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1在衬底材料上依次生长A1N成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；2将步骤1制备的产品进行清洗，然后通过光刻、剥离的方法在源、漏淀积欧姆接触金属，并进行快速热退火形成欧姆接触；3在表面淀积钝化介质层，在所述钝化介质层上，利用光刻、刻蚀方法形成微米级的栅凹槽;然后通过原子层淀积方法各项同性的淀积第二介质层，再用感应耦合等离子体方法各项异性的刻蚀，刻蚀掉栅凹槽底部和台面上的第二介质层，保留凹槽侧壁的第二介质层；4用光刻、蒸发、剥离工艺制作栅金属；5栅金属完成后淀积第三介质层进行钝化保护，然后再进行一次刻孔，并淀积金属做上源场板；6最后再进行第四介质层淀积，二次刻孔，并在源、漏、栅电极压块金属加厚，并形成介质桥的互连。4.根据权利权利要求3所述的基于自对准工艺的GaNHEMT器件的制造方法，其特征在于，步骤1中所述A1N成核层的厚度为20-100nm;GaN缓冲层的厚度为卜4wii;GaN沟道层的厚度为5〇_5〇Onm;AlGaN势垒层的厚度为10-50nm。5.根据权利权利要求3所述的基于自对准工艺的GaNHEMT器件的制造方法，其特征在于，步骤4中在栅金属淀积前，用等离子体处理修复步骤3制备的产品表面的N缺陷。6.根据权利权利要求3所述的基于自对准工艺的GaNHEMT器件的制造方法，其特征在于，所述第三介质层为Si02,所述第四介质层可以为Si02或SiN。

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