申请/专利权人：珠海镓旦科技有限公司

申请日：2019-08-26

公开（公告）日：2022-11-18

公开（公告）号：CN110504250B

主分类号：H01L25/16

分类号：H01L25/16;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/98;H03K17/04;H03K17/567

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.18#授权;2019.12.20#实质审查的生效;2019.11.26#公开

摘要：本发明涉及一种级联增强型GaNHEMT功率模块封装结构，包括封装外壳、金属引线框架和引脚，其封装外壳内还包括：第一级联增强型GaNHEMT器件、第二级联增强型GaNHEMT器件、第三级联增强型GaNHEMT器件、第四级联增强型GaNHEMT器件、全桥栅驱动电路；每一个级联增强型GaNHEMT器件包括：高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、基岛、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板。本发明所提供的模块通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，还增加了电压调整电路，保证其模块内部的高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态。

主权项：1.级联增强型GaNHEMT功率模块封装结构，包括封装外壳、金属引线框架和引脚，其特征是，封装外壳内还包括：第一级联增强型GaNHEMT器件351、第二级联增强型GaNHEMT器件352、第三级联增强型GaNHEMT器件353、第四级联增强型GaNHEMT器件354、全桥栅驱动电路350；全桥栅驱动电路350的第一输入端通过第十九绑定线连接第五引脚J25，全桥栅驱动电路350的第二输入端通过第二十绑定线连接第六引脚J26；全桥栅驱动电路350的第一开关信号G0输出通过第一绑定线连接到第一内引脚键合区J06的左端，第一内引脚键合区J06的右端通过第二绑定线连接到第一级联增强型GaNHEMT器件351的栅端输入点；全桥栅驱动电路350的第二开关信号G1输出通过第三绑定线连接到第二内引脚键合区J07的左端，第二内引脚键合区J07的右端通过第四绑定线连接到第二级联增强型GaNHEMT器件352的栅端输入点；全桥栅驱动电路350的第三开关信号G2输出通过第五绑定线连接到第三内引脚键合区J08的左端，第三内引脚键合区J08的右端通过第六绑定线连接到第三级联增强型GaNHEMT器件353的栅端输入点；全桥栅驱动电路350的第四开关信号G3输出通过第七绑定线连接到第四内引脚键合区J09的左端，第四内引脚键合区J09的右端通过第八绑定线连接到第四级联增强型GaNHEMT器件354的栅端输入点；第一级联增强型GaNHEMT器件351的漏极D0通过第九绑定线连接到第三引脚J23，第一级联增强型GaNHEMT器件351的源极S0连接到第一引脚J21；第二级联增强型GaNHEMT器件352的漏极D1通过第十一绑定线连接到第一引脚J21，第二级联增强型GaNHEMT器件352的源极S1通过第十二绑定线连接到第四引脚J24；第三级联增强型GaNHEMT器件353的漏极D2通过第十四绑定线连接到第三引脚J23，第三级联增强型GaNHEMT器件353的源极S2通过第十六绑定线连接到第二引脚J22；第四级联增强型GaNHEMT器件354的漏极D3通过第十七绑定线连接到第二引脚J22，第四级联增强型GaNHEMT器件354的源极S3连接到第四引脚J24；第一引脚J21的输出为第一桥臂输出SW0，第二引脚J22的输出为第二桥臂输出SW1，第三引脚J23的输出为高压母线VSS，第四引脚J24的输出为低压母线GND，第五引脚J25的输入为第一驱动信号PWH，第六引脚J26的输入为第二驱动信号PWL。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海镓旦科技有限公司 级联增强型GaNHEMT功率模块封装结构及封装方法

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