申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学

申请日：2022-11-16

公开（公告）日：2023-04-04

公开（公告）号：CN115910781A

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L21/56;H01L21/683;H01L29/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.21#实质审查的生效;2023.04.04#公开

摘要：本发明公开了大尺寸晶圆透明GaNHEMT器件的制备方法，具体为：在大尺寸硅基氮化镓HEMT晶圆上进行系列器件制备工艺，包括欧姆电极制备、台面隔离和肖特基栅极制备等；在正面工艺结束后将晶圆翻转临时键合到载片上；将硅基氮化镓HEMT晶圆的硅衬底去除；然后将透明衬底与氮化镓异质晶圆紧密地结合起来；最后解晶圆正面的临时键合。本发明的方法，借助硅基氮化镓HEMT晶圆，可以实现6英寸、8英寸或者更大尺寸晶圆制备；在硅衬底上完成外延生长和器件制备后将其转移到透明衬底上，保证了整体透明性，避免了直接在透明衬底晶圆上加工GaNHEMT器件。

主权项：1.大尺寸晶圆透明GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：S1：在大尺寸硅片上制备透明氮化镓HEMT器件晶圆；S2：将透明氮化镓HEMT器件晶圆翻转，临时键合在载片上；S3：去除透明氮化镓HEMT器件晶圆背面的硅衬底；S4：将透明氮化镓HEMT器件晶圆键合在透明衬底上；S5：解临时键合。

全文数据：

权利要求：

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