申请/专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司

申请日：2023-11-20

公开（公告）日：2023-12-19

公开（公告）号：CN117253923A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/07;H01L29/872

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种集成JBS的凸台分裂栅碳化硅MOSFET及制备工艺。MOSFET，包括N+衬底区、N‑漂移区、JFET区、P阱区、凸台P+区、平台P+区，N+区、栅氧化层、栅极、绝缘氧化层、第一金属层、第二金属层、源极和漏极，N‑漂移区包括设置凸台P+区的凸台结构，JBS集成在凸台结构。本发明还提供集成JBS的凸台分裂栅碳化硅MOSFET的制备工艺。本发明MOSFET在凸台结构中集成JBS，解决了现有集成JBS的MOSFET器件可靠性低及整体导通电阻高的问题。

主权项：1.集成JBS的凸台分裂栅碳化硅MOSFET，其特征在于，所述集成JBS的凸台分裂栅碳化硅MOSFET的元胞结构包括：N+衬底区，所述N+衬底区的下表面设置漏极金属区；N-漂移区，设置在所述N+衬底区的上表面，所述N-漂移区包括凸台结构和平台结构，所述凸台结构上间隔设置多个凸台P+区，JBS结构集成在所述凸台结构中；P阱区，设置在所述N-漂移区的平台结构上表面并延伸到所述N-漂移区的侧面，P阱区的上表面平行设置平台P+区和N+区；栅氧化层，设置在所述N-漂移区的平台结构上表面并与部分N+区和P阱区接触；栅极，设置在所述栅氧化层的上表面，绝缘氧化层，覆盖所述栅氧化层和所述栅极，第一金属层和第二金属层，分别设置在所述绝缘氧化层的两侧，且所述第一金属层设置在平台P+区和N+区的上表面，所述第二金属层设置在所述凸台结构的上表面，所述平台P+区、N+区和凸台P+区的上方形成欧姆接触，相邻凸台P+区之间的N-漂移区的上方形成肖特基接触；结型场效应晶体管JFET区或者电流扩展层CSL区，设置在所述N-漂移区的上方，所述JFET区位于所述P阱区的一侧，所述CSL区位于所述P阱区的一侧以及下方，且所述CSL的深度大于所述P阱区的深度；源极金属区，设置在所述第一金属层、第二金属层和绝缘氧化层的上方。

全文数据：

权利要求：

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