申请/专利权人：江苏山水半导体科技有限公司

申请日：2023-03-29

公开（公告）日：2023-12-26

公开（公告）号：CN116394151B

主分类号：B24B37/04

分类号：B24B37/04;B24B37/10;B24B37/005;B24B57/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.26#授权;2023.07.25#实质审查的生效;2023.07.07#公开

摘要：本发明涉及化学机械抛光技术领域，具体涉及一种表面具有PSG层硅片的化学机械平坦化方法，步骤：在抛光机中加入抛光液，CMP抛光表面具有PSG层硅片，得到PSG图形硅片；其中CMP抛光过程是：固定硅片在抛光头上并使表面具有PSG层的一面与抛光盘接触，施加第一工作压力，并控制抛光头转速小于抛光盘转速进行第一次平坦化；然后施加第二工作压力，其他条件不变，进行第二次平坦化；抛光头在抛光盘外侧的工作压力大于抛光头在抛光盘中心的工作压力；在第一工作压力中控制抛光头在抛光盘中心的工作压力为2.7‑2.9psi，在第二工作压力中控制抛光头在抛光盘中心的工作压力为1‑1.5psi；本发明可实现较好的平坦化效果，所得PSG图形硅片台阶高低差小、犬牙缺陷小、粗糙度低。

主权项：1.一种表面具有PSG层硅片的化学机械平坦化方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：在抛光机中加入抛光液，对表面具有PSG层硅片进行CMP抛光，得到PSG图形硅片；其中所述CMP抛光的过程是：固定硅片在抛光头上并使表面具有PSG层的一面与抛光盘接触，施加第一工作压力，并控制抛光头转速小于抛光盘转速进行第一次平坦化；然后施加第二工作压力，其他条件不变，进行第二次平坦化；所述第一工作压力和所述第二工作压力均包括所述抛光头从所述抛光盘外侧位移至中心时所施加的一组压力，该组压力分别为Z1、Z2、Z3、Z4、Z5；其中所述第一工作压力中Z1＝6.8-7.2psi、Z2＝6.0-6.8psi、Z3＝3.0-4.0psi、Z4＝2.9-3.0psi、Z5＝2.7-2.9psi；所述第一次平坦化的抛光时间为100-200s；其中所述第二工作压力中Z1＝3.1-3.5psi、Z2＝2-2.5psi、Z3＝1-1.8psi、Z4＝1-1.8psi、Z5＝1-1.5psi；所述第二次平坦化的抛光时间为1-10s；所述抛光头转速80-90rpm，所述抛光盘转速90-98rpm；所述抛光液的流量为220-280mLmin；所述抛光液包括如下重量份材料：硅溶胶600-750份、金属螯合剂7-9份、表面活性剂0.01-0.10份、去离子水233.90-387.99份，pH调节剂调制所述抛光液的pH值为9-10；所述硅溶胶的中的胶体颗粒粒径为80-120nm范围内单一粒径或多种粒径的复配。

全文数据：

权利要求：

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