申请/专利权人：南京工业大学

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-01-09

公开（公告）号：CN117374412A

主分类号：H01M10/058

分类号：H01M10/058;H01M10/0562;H01M10/052;G16C60/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开

摘要：本发明公开了一种抑制枝晶在LLZO固态电解质中沿晶界生长方法以及模拟方法，在LLZO固态电解质中添加杨氏模量小于LLZO固态电解质本身杨氏模量的金属元素。本发明中抑制枝晶生长方法，是利用电解质材料杨氏模量的不同，影响沿着晶界的枝晶生长。拥有较低杨氏模量的掺杂部分材料会抑制枝晶在其中的生长，而拥有较高杨氏模量的材料则相反。较低杨氏模量的部分在面对生长枝晶的挤压时，更容易产生形变，从而减缓枝晶穿透。

主权项：1.一种抑制枝晶在LLZO固态电解质中沿晶界生长方法，其特征在于：在LLZO固态电解质中添加杨氏模量小于LLZO固态电解质本身杨氏模量的金属元素。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京工业大学 一种抑制枝晶在LLZO固态电解质中沿晶界生长方法以及模拟方法

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