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【发明公布】阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202210764114.8 

申请/专利权人:无锡华润上华科技有限公司

申请日:2022-06-30

公开(公告)日:2024-01-09

公开(公告)号:CN117374105A

主分类号:H01L29/739

分类号:H01L29/739;H01L21/331

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开

摘要:本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法,所述晶体管包括:漂移区;集电区,设于漂移区中;阳极区;第一导电类型掺杂区,位于集电区和阳极区之间的漂移区中,第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度;耗尽结构,设于第一导电类型掺杂区中,包括竖向导电结构,和包围竖向导电结构从而将竖向导电结构与第一导电类型掺杂区隔离的介电层。本发明通过引入第一导电类型掺杂区,相当于设置一段高浓度的漂移区,可以在器件关断时加速少子的反向抽取;在器件开启时可以通过对竖向导电结构加电压的方式,使第一导电类型掺杂区变为耗尽区,从而成为一段高阻区,避免电压折回效应。

主权项:1.一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管,其特征在于,包括:漂移区,具有第一导电类型;集电区,设于所述漂移区中,具有第二导电类型,所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型;阳极区,具有第一导电类型;第一导电类型掺杂区,位于所述集电区和所述阳极区之间的漂移区中,所述第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度;耗尽结构,设于所述第一导电类型掺杂区中,包括竖向导电结构,以及包围所述竖向导电结构从而将所述竖向导电结构与所述第一导电类型掺杂区隔离的介电层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 无锡华润上华科技有限公司 阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

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