申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-05-25

公开（公告）日：2024-01-09

公开（公告）号：CN116610185B

主分类号：G05F1/571

分类号：G05F1/571

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.09#授权;2023.09.05#实质审查的生效;2023.08.18#公开

摘要：本发明公开一种采用PNP型Brokaw基准核心的高压稳压电路，包括耐高压电路、反馈电阻网络、PNP型Brokaw基准核心、偏置反馈电路、瞬时高压保护电路。PNP型Brokaw基准核心能够在上电后产生与带隙基准电压精度一致的参考电压差值，该差值电压经过反馈电阻网络能够成比例的反应到输出电压上，进而保证极高的输出电压精度。高压NMOS管能够隔离高压，完成耐高压的基本功能。齐纳二极管的钳位电压则能保证低耐压的高压NMOS器件的栅源极不被击穿。本发明解决了现有技术存在的输出电压精度差、低压器件易损坏、高压MOS管采用过多以及高压MOS管栅源极未作钳位保护易被高压击穿问题，可以作为一般高压电源集成电路包括LDO以及DC‑DC的高压预稳压电路。

主权项：1.一种采用PNP型Brokaw基准核心的高压稳压电路，包括偏置反馈电路、反馈电阻网络，其特征在于，还包括耐高压电路、PNP型Brokaw基准核心、瞬时高压保护电路；所述高压稳压电路的输入端VIN分别与耐高压电路、偏置反馈电路相连，所述高压稳压电路的输出端VOUT分别与反馈电阻网络、PNP型Brokaw基准核心、耐高压电路、偏置反馈电路相连；耐高压电路分别与偏置反馈电路、瞬时高压保护电路相连，PNP型Brokaw基准核心分别与反馈电阻网络、偏置反馈电路相连；所述高压稳压电路的接地端GND分别与反馈电阻网络、PNP型Brokaw基准核心、偏置反馈电路、瞬时高压保护电路相连；所述偏置反馈电路由第五电阻R5、第三NMOS管M3和第四NMOS管M4构成，高压NMOS管MH1的漏极和第五电阻R5连接为输入端VIN；输入端VIN通过第五电阻R5接齐纳二极管D1的负极、高压NMOS管MH1的栅极和第四NMOS管M4的漏极，齐纳二极管D1的正极接地GND；高压NMOS管MH1的源极和第四NMOS管M4的栅极连接为输出端VOUT；第二PNP管Q2的集电极与第二NMOS管M2的漏极、第三NMOS管M3的栅极连接；第四NMOS管M4的源极与第三NMOS管M3的漏极连接；第三NMOS管M3的源极接地GND；所述反馈电阻网络由第一电阻R1和第二电阻R2构成，输出端VOUT通过第二电阻R2接第一PNP管Q1的基极和第二PNP管Q2的基极，第二电阻R2通过第一电阻R1接地GND；所述耐高压电路中采用高压NMOS管MH1，该高压NMOS管MH1的漏极接高压稳压电路的输入端VIN，栅极分别与瞬时高压保护电路、偏置反馈电路相连；源极分别与高压稳压电路的输出端VOUT、反馈电阻网络、PNP型Brokaw基准核心、偏置反馈电路相连；所述PNP型Brokaw基准核心由第三电阻R3、第四电阻R4、第一PNP三极管Q1、第二PNP三极管Q2、第一NMOS管M1和第二NMOS管M2构成；高压稳压电路的输出端VOUT依次通过第四电阻R4、第三电阻R3与第一PNP三极管Q1的发射极相连，高压稳压电路的输出端VOUT通过第四电阻R4与第二PNP三极管Q2发射极相连；第一PNP三极管Q1的基极和第二PNP三极管Q2的基极相连并连接到反馈电阻网络，第一PNP管Q1的集电极与第一NMOS管M1的漏极、第一NMOS管M1的栅极、第二NMOS管M2的栅极连接；第一NMOS管M1的源极接地GND；第二PNP管Q2的集电极与第二NMOS管M2的漏极相连并连接到偏置反馈网络，第二NMOS管M2的源极接地GND；所述瞬时高压保护电路中采用齐纳二极管D1，该齐纳二极管D1的正极接地GND，负极接耐高压电路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 采用PNP型Brokaw基准核心的高压稳压电路

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