申请/专利权人:电子科技大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日:2022-07-07
公开(公告)日:2024-01-16
公开(公告)号:CN117410310A
主分类号:H01L29/06
分类号:H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开
摘要:本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法,所述晶体管包括:漂移区,具有第一导电类型;集电区,设于所述漂移区中,具有第二导电类型;阳极区,具有第一导电类型;隔离结构,包括设于所述集电区和所述阳极区之间的第一结构,以及与所述第一结构呈一夹角并从所述第一结构向所述阳极区的下方延伸的第二结构。本发明通过设置具有第一结构和与第一结构呈一夹角并向阳极区下方延伸的第二结构的隔离结构,从而极大地拉长了阳极区的电流路径,等效于增大了集电区阱到阳极区的电阻值,使得电压折回消失,抑制了Snapback效应。
主权项:1.一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管,其特征在于,包括:漂移区,具有第一导电类型;集电区,设于所述漂移区中,具有第二导电类型,所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型;阳极区,具有第一导电类型;隔离结构,包括设于所述集电区和所述阳极区之间的第一结构,以及与所述第一结构呈一夹角并从所述第一结构向所述阳极区的下方延伸的第二结构。
全文数据:
权利要求:
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