申请/专利权人：度微检测技术(杭州)有限公司;江苏度微光学科技有限公司

申请日：2023-10-31

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN117457778A

主分类号：H01L31/102

分类号：H01L31/102;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明公开了一种基于CIGSSnSex半导体异质结构的光子探测仪器，属于材料制备技术和光电探测领域。包括由下至上依次堆叠的衬底、金属背电极层、基于CIGSSnSex半导体异质结构的功能层、金属顶电极层；所述的基于CIGSSnSex半导体异质结构的功能层包括铜铟镓硒CIGS薄膜和在所述铜铟镓硒薄膜上垂直生长的二维SnSex纳米片阵列，所述纳米片阵列上覆盖有透明绝缘保护层，x＝1.5～2.1。该光子探测仪器具备大面积均匀、高陷光结构，提升了二维材料光电探测器的性能。

主权项：1.一种基于CIGSSnSex半导体异质结构的光子探测仪器，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的衬底、金属背电极层、基于CIGSSnSex半导体异质结构的功能层、金属顶电极层；所述的基于CIGSSnSex半导体异质结构的功能层包括铜铟镓硒CIGS薄膜和在所述铜铟镓硒薄膜上垂直生长的二维SnSex纳米片阵列，所述纳米片阵列上覆盖有透明绝缘保护层，x＝1.5～2.1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 度微检测技术(杭州)有限公司;江苏度微光学科技有限公司 一种基于CIGS/SnSe_x半导体异质结构的光子探测仪器及其制备方法

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