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【发明授权】一种以松木为控制剂高产率制备富缺陷石墨氮化碳光催化剂的方法_西北工业大学_202211341082.7 

申请/专利权人:西北工业大学

申请日:2022-10-30

公开(公告)日:2024-01-30

公开(公告)号:CN115646528B

主分类号:B01J27/24

分类号:B01J27/24;B01J35/61;C01B3/04

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.01.30#授权;2023.02.17#实质审查的生效;2023.01.31#公开

摘要:本发明涉及一种以松木为控制剂高产率制备富缺陷石墨氮化碳光催化剂,将一次煅烧的黄色石墨氮化碳粉末平置于坩埚中,上方放置泡沫镍,放置不同质量的松木块,整体二次煅烧获得富缺陷g‑C3N4Cv‑g‑C3N4。在升温的不同阶段,松木将释放出不同的气体穿过多孔的泡沫镍,从而实现对坩埚底部g‑C3N4的有效修饰。该获得的淡灰色Cv‑g‑C3N4表现出更小的微观形貌尺寸,更高的比表面积以暴露更多的催化活性位点,且随着松木使用量的增加,Cv‑g‑C3N4中碳氮缺陷逐渐增加,晶面内的重复排列及分子层的堆叠尺寸逐渐减少。最终该光催化剂表现出的光催化产氢性能比纯g‑C3N4高约20倍。与公开方法相比,该方法具有简单、占据空间小、经济且可大规模制备尺寸缺陷可控的产氢光催化剂。

主权项:1.一种以松木为控制剂高产率制备富缺陷石墨氮化碳光催化剂的方法,其特征在于步骤如下:步骤1:将三聚氰胺粉末放置于加盖坩埚中,在马弗炉中以2~5℃min的升温速率升温到520~580℃,并在该温度下保温2~4h,冷却至室温后,将黄色的块体研磨成粉末为g-C3N4;步骤2:将g-C3N4粉末放置于坩埚的底部,将泡沫镍剪成圆形形状,卡在坩埚顶部下方部位;所述圆形形状的泡沫镍直径与坩埚直径相吻合;步骤3:将干燥的松木片放置在泡沫镍上,坩埚加盖后整体置于马弗炉中以2~5℃min的升温速率升温到520~580℃,并在该温度下保温2~4h,冷却至室温后,底部浅灰色的粉末为富缺陷g-C3N4Cv-g-C3N4,即富缺陷石墨氮化碳光催化剂。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西北工业大学 一种以松木为控制剂高产率制备富缺陷石墨氮化碳光催化剂的方法

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