申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-04-08

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN117529797A

主分类号：H01L21/285

分类号：H01L21/285

优先权：["20210510 US 17/316,649"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本文的实施方式大致上针对在半导体器件中形成高深宽比金属接触件和或互连特征例如，钨特征的方法。通常，在高深宽比开口中进行钨的共形沉积在从开口的一个或多个壁向外生长的钨相遇的位置处造成接缝和或空隙。因此，本文阐述的方法提供期望的自下而上的钨块体填充，以避免在所得互连特征中形成接缝和或空隙，并且提供改善的接触金属结构及形成该结构的方法。在一些实施方式中，改善的覆盖层或覆盖层结构形成在基板的场区域上方，以使得能够形成与以传统方式形成的接触件或互连结构相比具有改进的特性的接触件或互连结构。

主权项：1.一种沉积膜的方法，包括：通过在第一处理压力下或低于所述第一处理压力将基板暴露于第一含钨前驱物气体与第一还原剂，而将钨块体填充材料沉积至所述基板上的多个开口中，所述基板包括第一材料层与钨成核层，所述第一材料层具有形成在所述第一材料层中的所述多个开口，所述钨成核层形成于所述第一材料层上并且对所述多个开口共形地加衬；以及在所述钨块体填充材料上方沉积第一钨覆盖层，包括：在第二处理压力下将所述基板暴露于第二含钨前驱物气体及第二还原剂，其中所述第二处理压力比所述第一处理压力大至少三倍。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 形成无空隙及接缝的金属特征的方法

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