申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-07-01

公开（公告）日：2024-02-09

公开（公告）号：CN111883478B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H10B43/30;H10B41/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.09#授权;2020.11.20#实质审查的生效;2020.11.03#公开

摘要：本发明公开了一种1.5TSONOS闪存器件的接触孔连接方法，在半导体基板上规划出多个有源区，所述的有源区呈多个互相平行的条形；在所述的多个有源区上方，还具有多个互相平行且与有源区垂直的多晶硅线，所述多晶硅线与其下方的半导体基板之间还分别形成有多个接触孔，所述多个接触孔避开有源区，位于有源区之间的区域；所述接触孔的尺寸大于多晶硅线的宽度，所述的多个平行多晶硅线在接触孔区域其宽度变大，以满足接触孔的落孔尺寸要求；每间隔一定数量的节点，在有源区之间设置一个多晶硅线的接触孔的集中接触区，通过将相邻的多晶硅线的接触孔区域进行互补型局部放大，彼此错开，以节省接触孔区所占用的面积。

主权项：1.一种1.5TSONOS闪存器件的接触孔连接方法，在半导体基板上规划出多个有源区，所述的有源区呈多个互相平行的条形；所述条形的各个有源区其长度、宽度均相同；在所述的多个有源区上方，还具有多个互相平行且与有源区垂直的多晶硅线，所述多晶硅线与其下方的半导体基板之间还分别形成有多个接触孔，所述多个接触孔避开有源区，位于有源区之间的区域；其特征在于：所述接触孔的尺寸大于多晶硅线的宽度，所述的多个平行多晶硅线在接触孔区域其宽度变大，以满足接触孔的落孔尺寸要求；每间隔一定数量的节点，在有源区之间设置一个多晶硅线的接触孔的集中接触区，通过将相邻的多晶硅线的接触孔区域进行互补型局部放大，彼此错开，以节省接触孔区所占用的面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法

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