申请/专利权人：细美事有限公司

申请日：2023-08-03

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117587384A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/02;H01L21/311;H01L21/67

优先权：["20220811 KR 10-2022-0100625"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.23#公开

摘要：根据本公开内容的示例性实施方案的牺牲钝化膜沉积方法可以包括：使用热ALDT‑ALD工艺在衬底的整个表面上沉积初级牺牲钝化膜；以及使用等离子体ALDP‑ALD工艺在所述初级牺牲钝化膜的上部的上表面和至少一部分侧表面上额外地沉积二级牺牲钝化膜。

主权项：1.使用低温原子层沉积ALD工艺的牺牲钝化膜沉积方法，包括：使用热ALDT-ALD工艺在衬底的整个表面上沉积初级牺牲钝化膜；以及使用等离子体-ALDP-ALD工艺在所述初级牺牲钝化膜的上部的上表面和至少一部分侧表面上额外沉积二级牺牲钝化膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 细美事有限公司 使用低温ALD工艺的牺牲钝化膜沉积方法、沟槽刻蚀方法和半导体处理设备

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