申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2018-09-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111344857B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/67

优先权：["20170913 US 15/703,917"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.10.16#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：本发明描述了用于将材料沉积到高深宽比特征，多层堆叠件中的特征，具有正倾斜的侧壁的特征，具有负倾斜的侧壁的特征，具有内凹轮廓的特征和或具有侧壁形貌的特征的方法和设备。方法包括将第一数量的材料例如电介质例如硅氧化物沉积到特征中，并在衬底的场表面上形成牺牲护盔，蚀刻第一数量的材料中的一些以打开特征开口和或使特征的侧壁平滑，并沉积第二数量的材料以填充特征。牺牲护盔可以是与沉积到特征中的第一数量的材料相同或不同的材料。

主权项：1.一种填充衬底上的特征的方法，所述方法包括：提供所述衬底至处理室，所述衬底包括所述特征，所述特征包括特征开口和侧壁，所述侧壁具有侧壁形貌，所述侧壁形貌包括在所述侧壁的表面上的多个残段和在所述残段之间的区域；使用含硅前体和氧化剂在所述侧壁形貌上保形地沉积第一数量的硅氧化物至所述特征内持续不足以填满所述特征的持续时间以形成具有所述侧壁形貌的所述第一数量的所述硅氧化物；使所述第一数量的所述硅氧化物暴露于蚀刻剂，以蚀刻所述第一数量的所述硅氧化物中的一些以平滑所述第一数量的所述硅氧化物的所述侧壁形貌并形成经蚀刻的第一数量的所述硅氧化物；以及在蚀刻所述第一数量的所述硅氧化物之后，在经蚀刻的所述第一数量的所述硅氧化物上沉积第二数量的所述硅氧化物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 使用牺牲蚀刻盖层的高深宽比特征的介电间隙填充

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