申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2022-05-06

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751443A

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L21/311

优先权：["20210510 US 63/186,665","20220415 US 17/721,551"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：一种方法包括：提供衬底，该衬底包括沿该衬底的表面交替布置的金属栅极叠层和源极漏极接触区，这些源极漏极接触区中的每一个凹陷在相邻的金属栅极叠层之间的相应开口内，使得这些源极漏极接触区提供该开口的底部并且相邻的金属栅极叠层提供侧壁，并且该衬底包括电介质，该电介质覆盖衬底使得该电介质填充每个开口。将该衬底暴露于初始等离子体蚀刻工艺，以从每个开口向下移除该电介质的第一部分至第一深度，并且在该衬底上形成牺牲栅极覆盖层，同时保持这些开口中的每一个不被覆盖。将该衬底暴露于另一等离子体蚀刻工艺，以移除该牺牲栅极覆盖层，同时从每个开口向下移除该电介质的第二部分至第二深度。

主权项：1.一种方法，包括：提供衬底，该衬底包括沿该衬底的表面交替布置的多个金属栅极叠层和多个源极漏极接触区，其中，这些源极漏极接触区中的每一个凹陷在相邻的金属栅极叠层之间的相应开口内，使得这些源极漏极接触区提供该开口的底部并且这些相邻的金属栅极叠层提供该开口的侧壁，并且该衬底包括电介质，该电介质覆盖该衬底使得该电介质填充每个开口；将该衬底暴露于初始等离子体蚀刻工艺，以从每个开口向下移除该电介质的第一部分至该开口中的第一深度；在该衬底上形成牺牲栅极覆盖层，同时保持这些开口中的每一个不被该牺牲栅极覆盖层覆盖；以及将该衬底暴露于另一等离子体蚀刻工艺，以移除该牺牲栅极覆盖层，同时从每个开口向下移除该电介质的第二部分至该开口中的第二深度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 用于栅极保护的牺牲栅极覆盖层

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