申请/专利权人：江阴圣邦微电子制造有限公司

申请日：2023-08-21

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117607564A

主分类号：G01R31/00

分类号：G01R31/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：一种MIM电容的失效分析方法，步骤1，去除所述第一TIN层和所述金属层，暴露出所述第二TIN层；步骤2，在所述第二TIN层中与所述上极板电连接的区域、所述第二TIN层中与所述下极板电连接的区域上分别生长测试pad，作为电信号的介入点；步骤3，通过测试pad在所述上极板和所述下极板上施加设定的偏置信号之后，定位MIM电容上的失效亮点；步骤4，观察失效亮点位置处的MIM电容失效形态。本发明提供的方法填补了小电流漏电无法定位的空白，拓展了定位的边界，量级由mA级别变成uA甚至nA级别；能够避开TM对定位的遮挡效应，能够获得被TM盖住的准确的失效点位，大大提高后续FA的效率和成功率；能够使放大倍数有效地提高，点位更精确。

主权项：1.一种MIM电容的失效分析方法，其特征在于，所述MIM电容包括上极板3、下极板5以及电极层，所述电极层位于所述上级板的上方并通过通孔4与所述上级板、所述下极板电连接，所述电极层包括金属层2、位于所述金属层上方的第一TIN层11以及位于所述金属层下方的第二TIN层12，所述失效分析方法包括以下步骤：步骤1，去除所述第一TIN层和所述金属层，暴露出所述第二TIN层；步骤2，在所述第二TIN层中与所述上极板电连接的区域、所述第二TIN层中与所述下极板电连接的区域上分别生长测试pad，作为电信号的介入点；步骤3，通过测试pad在所述上极板和所述下极板上施加设定的偏置信号之后，定位MIM电容上的失效亮点；步骤4，观察失效亮点位置处的MIM电容失效形态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江阴圣邦微电子制造有限公司 一种MIM电容的失效分析方法

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