申请/专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117603459A

主分类号：C08G83/00

分类号：C08G83/00;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/56;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本发明涉及一种ZrC‑SiC复相陶瓷超支化前驱体、ZrC‑SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述方法：将镁和氯甲基甲基‑二氯硅烷在四氢呋喃中进行反应，得到含有第一反应单体的溶液；镁与氯甲基甲基‑二氯硅烷的摩尔比为1～4：1；往含有第一反应单体的溶液中加入第二反应单体二氯二茂锆和氢化铝锂进行反应，制得ZrC‑SiC复相陶瓷超支化前驱体；二氯二茂锆与氯甲基甲基‑二氯硅烷的摩尔比为1～5：1～5。本发明将ZrC‑SiC复相陶瓷前驱体设计为超支化构型，具有粘度低，溶解性好，有利于提高陶瓷产率的特点，且超支化结构可控，可调控Si、Zr元素比，提高陶瓷相的耐烧蚀性和抗冲刷性。

主权项：1.一种ZrC-SiC复相陶瓷超支化前驱体的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1将镁和氯甲基甲基-二氯硅烷在四氢呋喃中进行反应，得到含有第一反应单体的溶液；所述镁与所述氯甲基甲基-二氯硅烷的摩尔比为1～4：1；2往含有第一反应单体的溶液中加入第二反应单体和氢化铝锂进行反应，制得ZrC-SiC复相陶瓷超支化前驱体；所述第二反应单体为二氯二茂锆；所述二氯二茂锆与氯甲基甲基-二氯硅烷的摩尔比为1～5：1～5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 航天特种材料及工艺技术研究所 一种ZrC-SiC复相陶瓷超支化前驱体、ZrC-SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

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