申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117612997A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/538;H01L23/34;H01L23/64

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本发明公开了一种TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，该方法包括：在制备TSV转接板过程中根据预设位置预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置；在制备完成的TSV转接板上预留的传感器布置位置制备传感器；沉积互联金属将传感器引出端与预留的与之互连的端口位置的金属再布线层互联。本发明利用半导体前道工艺在TSV转接板预设位置将温度、应变传感器内嵌集成，该集成TSV转接板结构除了提供电互联通道外，还具有测量温度、应变物理量的功能，使得基于该TSV转接板结构的集成封装结构在工作及外界环境载荷下可以直接测量其内部的温度、应变参数，为其可靠性评估优化提供有力的数据支撑和数据支撑。

主权项：1.TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，所述集成方法包括：制备TSV转接板，同时在制备TSV转接板过程中根据预设位置预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置；利用半导体前道工艺在制备完成的TSV转接板上预留的传感器布置位置制备温度传感器和应变传感器；传感器制备完成后，在TSV转接板上沉积互联金属将传感器引出端与预留的与之互连的端口位置的金属再布线层互联。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国工程物理研究院电子工程研究所 TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法

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