申请/专利权人：中国电子科技集团公司信息科学研究院

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117316906B

主分类号：H01L23/473

分类号：H01L23/473;H01L21/48;H01L23/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.27#授权;2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开

摘要：本发明公开了一种基于微流散热的MMIC芯片及设计方法，通过在MMIC芯片的衬底层刻蚀微流通道，将冷却工质引入MMIC衬底层。根据MMIC中不同电子器件的功率密度蚀刻不同深度的微流通道，实现微系统温度均匀性控制。根据电子器件功率密度及发热特性，在衬底层对应有源区（即高功率密度区域）处刻蚀较深的微流通道，在对应无源区（即低功率密度区域）处刻蚀较浅的微流通道，在MMIC和供液系统集成后，冷却工质可通过MMIC供液系统进入芯片，与衬底层直接进行热量交换后流出芯片，完成MMIC的高效散热。

主权项：1.一种基于微流散热的MMIC芯片，包括多个在工作状态下产生热量的电子器件、承载电子器件的功能层、以及紧密贴合在功能层下方的衬底层；其特征在于，所述功能层被划分为有源区和无源区，有源区上承载电子器件所产生的热量高于无源区上承载电子器件所产生的热量；所述衬底层蚀刻有多个与供液系统连通的微流通道，所述微流通道为内部容纳冷却工质的中空结构；设置在有源区下方的微流通道的内壁与有源区之间的最小垂直距离，小于设置在无源区下方的微流通道的内壁与无源区之间的最小垂直距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司信息科学研究院 一种基于微流散热的MMIC芯片及设计方法

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