申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2023-08-23

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117641928A

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35

优先权：["20220824 US 17/822,101"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.01#公开

摘要：本申请涉及具有导电结构、绝缘结构和部分牺牲结构的分层堆叠的微电子装置，以及相关系统和方法。微电子装置包含具有分层堆叠的区，分层堆叠包含按层布置的绝缘结构、导电结构和非导电结构。绝缘结构与导电结构和非导电结构两者竖直交替。导电结构中的每一个通过非导电结构中的至少一个和绝缘结构中的至少两个与导电结构中的另一个竖直间隔开。非导电结构的组成不同于绝缘结构的组成。在制造方法中，前体堆叠形成为包含与第一非导电结构和第二非导电结构竖直交替的绝缘结构。在前体堆叠的区中，去除第一非导电结构，从而在多结构层组之间形成空隙。导电结构形成于空隙中。本发明还公开了电子系统。

主权项：1.一种微电子装置，其包括：区，其包括分层堆叠，所述分层堆叠包括按层布置的绝缘结构、导电结构和其它结构，所述绝缘结构与所述导电结构和所述其它结构两者竖直交替，所述导电结构中的每一个通过以下各者与所述导电结构中的另一个竖直间隔开：所述其它结构中的至少一个；以及所述绝缘结构中的至少两个，所述其它结构的组成不同于所述绝缘结构的组成并且不同于所述导电结构的组成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 具有导电、绝缘和部分牺牲结构的分层堆叠的微电子装置以及相关系统和方法

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