申请/专利权人：北京遥测技术研究所

申请日：2023-11-13

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117638648A

主分类号：H01S5/30

分类号：H01S5/30;C30B25/18;C30B29/40;C30B33/10;C30B33/00;C30B33/04;H01S5/323;H01S5/22;H01S5/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明提供一种掺铁磷化铟半绝缘外延层及掩埋异质结构的制作方法，包括以下步骤：外延层晶片化学清洗，光刻和腐蚀出脊波导，带掩模脊波导样品的ECR微波等离子体表面处理，外延生长InP：Fe，化学机械抛光，微波热退火，ECR微波等离子体表面处理。本发明通过微波退火提高外延层中Fe杂质激活率并减小晶格缺陷，实现高电阻率和晶体质量，并利用电子回旋共振微波等离子体对带掩模样品进行清洗、钝化和减小粗糙度，最后再结合CMP和ECR微波等离子体来抛光和处理掩埋后的表面，可获得InP半绝缘外延层及具有较好电流隔离效果、表面平整、颗粒和缺陷少的掩埋异质结构。

主权项：1.一种掺铁磷化铟半绝缘外延层及掩埋异质结构的制作方法，其特征在于：将外延层晶片进行光刻和腐蚀得到带掩模脊波导沟道样品，利用电子回旋共振ECR微波等离子体对所述带掩模脊波导沟道样品进行清洗、钝化并减小粗糙度，再生长InP：Fe绝缘层得到掺铁磷化铟半绝缘外延层，然后进行抛光、置于微波退火炉腔室中微波热退火并清洗得到掩埋异质结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京遥测技术研究所 一种掺铁磷化铟半绝缘外延层及掩埋异质结构的制作方法

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