申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117637884A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种AlNAlScN多量子阱红外探测器，包括依次设置的AlN蓝宝石模板层、AlNAlScN多量子阱层和n型掺杂的AlGaN接触层，以及AlNAlScN多量子阱层上的第一电极和n型掺杂的AlGaN接触层上的第二电极，并可进一步包括AlGaN缓冲层；本发明还提供了该探测器的制备方法，本发明可有效降低量子阱结构中的极化电场强度，控制载流子的迁移，延长子带吸收波长，并提升红外探测器的探测范围和响应速度，同时适于大规模生产应用。

主权项：1.一种AlNAlScN多量子阱红外探测器，其特征在于，包括依次设置的AlN蓝宝石模板层1、AlNAlScN多量子阱层3和n型掺杂的AlGaN接触层4，以及AlNAlScN多量子阱层3上的第一电极5和n型掺杂的AlGaN接触层4上的第二电极6。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种AlN/AlScN多量子阱红外探测器及其制备方法

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