申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-10-20

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN117650130A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本申请公开了一种MIM电容制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有金属层，所述金属层集成MIM电容的下极板；在所述衬底表面依次沉积介质层和绝缘层；采用光刻和刻蚀工艺，在所述绝缘层和介质层中形成沟槽；在所述沟槽和绝缘层上方沉积上极板金属层；去除位于所述沟槽外的所述上极板金属层，以形成所述MIM电容的上极板；进行后续工艺，以形成金属连接。本申请通过上述方案，能够节约生产成本。

主权项：1.一种MIM电容制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有金属层，所述金属层集成MIM电容的下极板；在所述衬底表面依次沉积介质层和绝缘层；采用光刻和刻蚀工艺，在所述绝缘层和介质层中形成沟槽；在所述沟槽和绝缘层上方沉积上极板金属层；去除位于所述沟槽外的所述上极板金属层，以形成所述MIM电容的上极板；进行后续工艺，以形成金属连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种MIM电容制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD