申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2022-08-22

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672968A

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L27/088

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明提供了一种FinFET器件及其制造方法，制造方法包括：提供一衬底；形成多个虚拟栅极，核心区与输入输出区上的虚拟栅极的尺寸相同且间隔相同；在核心区的第一源端及第一漏端之间具有一个虚拟栅极，在输入输出区的第二源端及第二漏端之间具有至少两个虚拟栅极；利用虚拟栅极形成栅极结构，并在形成核心晶体管及输入输出晶体管的过程中，调整第二源端及第二漏端之间的部分鳍片的电导率。本发明中，通过使输入输出晶体管具有至少两个虚拟栅极且其虚拟栅极与核心晶体管的虚拟栅极具有相同尺寸及相同间隔，为形成栅极结构的过程中提供均匀的环境，以解决FinFET器件的核心晶体管和输入输出晶体管的栅极结构高度不一致的问题。

主权项：1.一种FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括核心区和输入输出区，且所述核心区及所述输入输出区上均具有多个沿第一方向延伸的鳍片；在所述核心区及所述输入输出区上形成多个虚拟栅极，所述虚拟栅极位于所述鳍片上且沿第二方向延伸，所述第一方向及所述第二方向正交，所述核心区上的虚拟栅极与所述输入输出区上的虚拟栅极的尺寸相同且间隔距离相同；在所述核心区形成第一源端及第一漏端，在所述输入输出区形成第二源端及第二漏端，所述第一源端及所述第一漏端之间的鳍片上具有一个所述虚拟栅极，所述第二源端及所述第二漏端之间的鳍片上具有至少两个所述虚拟栅极；利用所述虚拟栅极形成栅极结构，以在所述核心区形成核心晶体管及在所述输入输出区形成输入输出晶体管，并在形成所述核心晶体管及所述输入输出晶体管的过程中，调整所述输入输出晶体管的至少两个所述栅极结构之间的电导率以使所述输入输出晶体管的阈值电压及导通电流符合设计要求。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 FinFET器件及其制造方法

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