申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117666277A

主分类号：G03F1/38

分类号：G03F1/38;G03F1/44;G03F1/84

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种掩模版结构和掩模版精度监控方法。结构包括：在X方向上相对设置的第一X向挡板和第二X向挡板，以及在Y方向上相对设置的第一Y向挡板和第二Y向挡板；其中，X方向与Y方向相互垂直；第一X向挡板和第二X向挡板均沿Y方向延伸，第一Y向挡板和第二Y向挡板均沿X方向延伸；第一X向挡板和或第二X向挡板上设有至少一个第一标尺，第一标尺沿X方向延伸；第一标尺包括沿X方向间隔排布的刻度图案，每个刻度图案对应一刻度值；第一Y向挡板和或第二Y向挡板上设有至少一个第二标尺，第二标尺沿Y方向延伸；第二标尺包括沿Y方向间隔排布的刻度图案，每个刻度图案对应一刻度值。

主权项：1.一种掩模版结构，其特征在于，所述掩模版结构包括：在X方向上相对设置的第一X向挡板和第二X向挡板，以及在Y方向上相对设置的第一Y向挡板和第二Y向挡板；其中，所述X方向与所述Y方向相互垂直；所述第一X向挡板和第二X向挡板均沿所述Y方向延伸，所述第一Y向挡板和第二Y向挡板均沿所述X方向延伸；所述第一X向挡板和或所述第二X向挡板上设有至少一个第一标尺，所述第一标尺沿所述X方向延伸；所述第一标尺包括沿所述X方向间隔排布的刻度图案，每个所述刻度图案对应一刻度值；所述第一Y向挡板和或所述第二Y向挡板上设有至少一个第二标尺，所述第二标尺沿所述Y方向延伸；所述第二标尺包括沿所述Y方向间隔排布的刻度图案，每个所述刻度图案对应一刻度值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 掩模版结构和掩模版精度监控方法

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