申请/专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117691464A

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183;H01S5/024;H01S5/028;H01S5/042

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体涉及一种VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片自下而上依次为AlN陶瓷基板、AuInNiSn金属层、GaAs覆盖层、P‑DBR、P‑限制层、多量子阱有源层、N‑限制层、氧化层、氧化孔、N‑DBR、GaAs接触层、第一钝化层、电极层、第二钝化层；电极层包括N焊线电极、P焊线电极、反N接触电极、反P焊线电极；N焊线电极与反N接触电极相连，并与电源负极相连；P焊线电极与反P焊线电极分别与电源正极相连。本发明通过从芯片材料的结构进行优化，整体提升芯片器件的可靠性，同时还可节约后加工的成本及流程。

主权项：1.一种VCSEL芯片，其特征在于，所述VCSEL芯片自下而上依次为AlN陶瓷基板、AuInNiSn金属层、GaAs覆盖层、P-DBR、P-限制层、多量子阱有源层、N-限制层、氧化层、氧化孔、N-DBR、GaAs接触层、第一钝化层、电极层、第二钝化层；所述电极层包括N焊线电极、P焊线电极、反N接触电极、反P焊线电极；所述N焊线电极与所述反N接触电极相连，并与电源负极相连；所述P焊线电极与所述反P焊线电极分别与电源正极相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南昌凯捷半导体科技有限公司 一种VCSEL芯片及其制造方法

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