申请/专利权人：浙江睿熙科技有限公司

申请日：2022-09-05

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117691459A

主分类号：H01S5/042

分类号：H01S5/042;H01S5/183;H01S5/42;G01S7/484;G01S7/4865;G01S17/02;G01S17/48;G01S17/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：公开了一种可寻址VCSEL芯片及其制备方法和激光雷达，其中，所述可寻址VCSEL芯片包括：具有相对的上表面和下表面的芯片主体和寻址电路结构。所述寻址电路结构包括多条正电连接线和多条负电连接线，以形成所述可寻址VCSEL芯片的电极结构，所述可寻址VCSEL芯片通过对其电极结构进行异构，在实现二维寻址的同时简化了布线结构。且所述可寻址VCSEL芯片的异构电极结构在晶圆级别上形成于所述芯片主体的上表面和或下表面，便于后续工序中对VCSEL芯片进行倒封装和光学元件集成。

主权项：1.一种可寻址VCSEL芯片，其特征在于，包括：具有相对的上表面和下表面的芯片主体，包括发光区域结构和环绕于所述发光区域结构的外围区域结构，所述发光区域结构包括多个VCSEL发光单元，每一所述VCSEL发光单元包括至少一VCSEL发光点，每一VCSEL发光点包括一发光主体和电连接于所述发光主体的正电导通层和负电导通层；和寻址电路结构，包括多条正电连接线和多条负电连接线，其中，每一所述正电连接线形成于所述芯片主体的上表面或下表面且电连接于至少二所述VCSEL发光单元的正电导通层，每一所述负电连接线形成于所述芯片主体的上表面或下表面且电连接于至少二所述VCSEL发光单元的负电导通层，通过这样的方式，所述寻址电路结构形成所述多个VCSEL发光单元的寻址电路以使得所述多个VCSEL发光单元中任一所述VCSEL发光单元适于通过导通一对所述正电连接线和所述负电连接线实现电导通。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江睿熙科技有限公司 可寻址VCSEL芯片及其制备方法和激光雷达

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