申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2021-06-28

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN113517293B

主分类号：H10B10/00

分类号：H10B10/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2021.11.05#实质审查的生效;2021.10.19#公开

摘要：本发明提供一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，分别包括单元A和单元B的第一至第四单元；单元A和单元B分别包括：第一至第三Fin结构；第一至第三Fin结构设有第一栅极；单元B的第一栅极一端通过其第一栅极金属与单元A中靠近其第三Fin结构末端的第一金属连接；第一、第四单元的单元A中的第一、第二Fin结构的末端通过各自的第四金属相互连接；第一、第四单元的单元B中的第三Fin结构的首端通过各自的第三金属相互连接；第一、第四单元的单元B中的第一、第二Fin结构的首端通过各自的第二金属相互连接。本发明将最外层的Fin间距减小2～6nm，将扩大金属栅极端帽层的性能，同时不会牺牲层间介质层间隙填充窗口。

主权项：1.一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于，至少包括：第一至第四单元；所述第一至第四单元分别包括：单元A和单元B；其中所述单元A和所述单元B中分别包括：第一至第三Fin结构；所述第一至第三Fin结构上设有横跨所述第一至第三Fin结构的第一栅极；所述第一、第二Fin结构上设有横跨所述第一、第二Fin结构的第二栅极；所述第一、第二Fin结构上设有横跨所述第一、第二Fin结构并连接所述第三Fin结构末端的第一金属；沿所述第一、第二Fin结构的纵向，所述第一金属位于所述第一、第二栅极之间；所述第一、第二Fin结构的首端通过第二金属相互连接；所述第三Fin结构的首端连接第三金属；所述第一、第二Fin结构的末端通过第四金属相互连接；所述单元A的所述第一栅极的一端通过其第一栅极金属与所述单元B中靠近其所述第三Fin结构末端的所述第一金属连接；所述单元B的所述第一栅极的一端通过其第一栅极金属与所述单元A中靠近其所述第三Fin结构末端的所述第一金属连接；所述第一、第二单元的所述单元A中的所述第二金属的一端相互连接；所述第一、第二单元的所述单元A中的所述第二栅极的一端通过第二栅极金属相互连接；所述第一、第四单元的所述单元A中的所述第一、第二Fin结构的末端通过各自的所述第四金属相互连接；所述第一、第四单元的所述单元B中的所述第三Fin结构的首端通过各自的第三金属相互连接；所述第一、第四单元的所述单元B中的所述第一、第二Fin结构的首端通过各自的所述第二金属相互连接；所述第一至第四单元中的所述第一、第二Fin结构之间的间距为2～6nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构

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