申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2023-07-03

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN220585229U

主分类号：H01L23/495

分类号：H01L23/495;H01L23/498

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权

摘要：本实用新型公开了一种LDMOSPA半桥空腔封装结构及表面贴装器件。LDMOSPA半桥空腔封装结构包括：绝缘管壳、基板和盖板，基板、盖板与绝缘管壳固定连接并围合形成一封装腔室，封装腔室用于容置芯片，基板具有背对设置的导电部分和绝缘部分，导电部分位于封装腔室内，导电部分具有电路结构，导电部分能够与位于封装腔室内的芯片电连接而形成半桥电路电气连接结构。本实用新型采用具有绝缘部分和导电部分的覆铜陶瓷基板等作为基板，并在导电部分加工形成半桥结构所需的对应电路，从而实现半桥电路电气连接，基板内部的陶瓷绝缘层能够配合实现半桥电路结构，有效地提高电路的响应速度和效率，同时还能够降低开关管的功耗和热损失。

主权项：1.一种LDMOSPA半桥空腔封装结构，其特征在于，包括：封装主体和导电翅片端子，所述封装主体包括绝缘管壳、基板和盖板，所述基板、所述盖板与所述绝缘管壳固定连接并围合形成一封装腔室，所述封装腔室用于容置芯片，所述基板具有背对设置的导电部分和绝缘部分，所述导电部分位于所述封装腔室内，所述导电部分具有电路结构，所述导电部分能够与位于所述封装腔室内的芯片电连接而形成半桥电路电气连接结构，所述导电翅片端子固定设置在所述封装主体上且能够与位于所述封装腔室内的芯片电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 LDMOS PA半桥空腔封装结构及表面贴装器件

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