申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司;瑞士联邦苏黎世技术大学;因斯布鲁克大学

申请日：2022-07-12

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117716447A

主分类号：G21K1/00

分类号：G21K1/00;B82Y10/00;G06N10/00

优先权：["20210712 EP 21185020.1"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.15#公开

摘要：一种用于控制被俘获离子180的器件100包括：第一半导体衬底120，包括半导体和或介电材料。第一微制作电极结构125被设置在所述第一衬底120的主要侧处。所述器件100进一步包括：第二衬底140，包括半导体和或介电材料。第二微制作电极结构145被设置在与所述第一衬底120的主要侧相对的所述第二衬底140的主要侧处。多个间隔物构件160被设置在所述第一衬底120与所述第二衬底140之间。至少一个离子阱被配置成将离子180俘获在所述第一衬底120与所述第二衬底140之间的空间中。所述第一微制作电极结构125和所述第二微制作电极结构145包括所述离子阱的电极。多层金属互连件135被形成在所述第一衬底120上且电连接到所述第一微制作电极结构125。

主权项：1.一种用于控制被俘获离子的器件，所述器件包括：第一衬底，包括半导体和或介电材料；第一微制作电极结构，被设置在所述第一衬底的主要侧处；第二衬底，包括半导体和或介电材料；第二微制作电极结构，被设置在与所述第一衬底的主要侧相对的所述第二衬底的主要侧处；多个间隔物构件，被设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间；至少一个离子阱，被配置成将离子俘获在所述第一衬底与所述第二衬底之间的空间中，所述第一微制作电极结构和所述第二微制作电极结构包括所述离子阱的电极；以及多层金属互连件，被形成在所述第一衬底上且电连接到所述第一微制作电极结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司;瑞士联邦苏黎世技术大学;因斯布鲁克大学 用于控制被俘获离子的微制作器件和通过微制作来制造该器件的方法

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