申请/专利权人：武汉大学

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712255A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/06;H01L33/38

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本申请涉及一种增强光输出功率的深紫外LED芯片，包括：外延层，外延层包括缓冲层、N型半导体层、量子阱层、和P型半导体层；N型欧姆接触层，N型欧姆接触层覆盖N型半导体层，与N型半导体层形成欧姆接触；反射电流阻挡层，反射电流阻挡层部分覆盖P型半导体层；P型欧姆接触层，P型欧姆接触层覆盖反射电流阻挡层，且与P型半导体层形成欧姆接触；绝缘层；金属焊盘层。本申请提供的深紫外LED芯片设置有反射电流阻挡层，且反射电流阻挡层对P型半导体层是部分覆盖，反射电流阻挡层将光进行反射，大幅增加出光效果，有效提升光提取效率，从而提高光输出功率；同时反射电流阻挡层与P型半导体层无法形成欧姆接触，促使电流扩展，减少电流积聚效应。

主权项：1.一种增强光输出功率的深紫外LED芯片，其特征在于，所述深紫外LED芯片包括：外延层2，所述外延层2包括依次叠层设置的缓冲层21、N型半导体层22、量子阱层23、和P型半导体层24，所述P型半导体层24为P-AlGaN层或P-GaN层；N型欧姆接触层3，所述N型欧姆接触层3覆盖所述N型半导体层22，与所述N型半导体层22形成欧姆接触；反射电流阻挡层4，所述反射电流阻挡层4部分覆盖所述P型半导体层24；P型欧姆接触层5，所述P型欧姆接触层5覆盖所述反射电流阻挡层4，且与所述P型半导体层24形成欧姆接触；绝缘层7，所述绝缘层7分别覆盖所述N型欧姆接触层3和P型欧姆接触层5；金属焊盘层8，所述金属焊盘层8覆盖所述绝缘层7，以分别连接所述N型欧姆接触层3和P型欧姆接触层5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉大学 一种增强光输出功率的深紫外LED芯片及其制造方法

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