申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2022-11-01

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117711457A

主分类号：G11C11/406

分类号：G11C11/406

优先权：["20220913 US 17/944,162"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明提供一种用于动态随机存取存储器DRAM阵列的存储器控制电路和刷新方法。存储器控制电路包括模式寄存器电路、命令解码器以及刷新电路。模式寄存器电路包括多个模式寄存器。命令解码器接收刷新命令且将多个模式寄存器中对应于刷新命令的目标模式寄存器的旗标设定为设定值。刷新电路响应于通过命令解码器的刷新命令和目标模式寄存器的旗标的设定值而刷新动态随机存取存储器阵列。

主权项：1.一种用于动态随机存取存储器阵列的存储器控制电路，包括：模式寄存器电路，包括多个模式寄存器；命令解码器，耦接到所述模式寄存器电路，配置成接收刷新命令且将所述多个模式寄存器中对应于所述刷新命令的目标模式寄存器的旗标设定为设定值；以及刷新电路，耦接到所述模式寄存器电路和所述命令解码器，配置成响应于通过所述命令解码器的所述刷新命令和所述目标模式寄存器的所述旗标的所述设定值而刷新所述动态随机存取存储器阵列。

全文数据：

权利要求：

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