申请/专利权人：青岛国数信息科技有限公司;青岛国数微电子有限公司

申请日：2023-11-01

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117156360B

主分类号：H04R17/00

分类号：H04R17/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2023.12.19#实质审查的生效;2023.12.01#公开

摘要：本发明公开一种双绝缘层环形压电声学芯片单元、芯片以及应用，属于压电声学芯片领域。该压电声学芯片单元包括SOI基片、下电极和压电层；在压电层上设置有上电极正区、上电极负区和中间互联线，上电极负区呈环形，设置在上电极正区的边缘周圈，上电极负区与中间互联线连接；在压电层的上方依次设置有第一绝缘层、第二绝缘层和顶部互联线层，在第一绝缘层上设置有相适配的嵌入口；在第二绝缘层的中心设置有顶部正电极区；顶部正电极区与上电极正区、顶部互联线层电学导通。本发明通过使用双层绝缘层与新型结构式排布，隔绝了传统差分式压电芯片上电极正区互联线与负电荷接触的机会，保证了正电荷采集效率，提高了声学芯片阵列的灵敏度。

主权项：1.一种双绝缘层环形压电声学芯片单元，其特征在于：包括SOI基片，在SOI基片上设置有空腔，在SOI基片的上方设置有下电极，在下电极的上方设置有压电层；在压电层上设置有上电极正区、上电极负区和中间互联线，上电极正区设置于压电层的中心区域；上电极负区呈环形，设置在上电极正区的边缘周圈，上电极负区与中间互联线连接；在压电层的上方设置有第一绝缘层，第一绝缘层将压电层的上表面覆盖，在第一绝缘层上且正对上电极正区、上电极负区和中间互联线的位置处均设置有相适配的嵌入口；在第一绝缘层的上方设置有第二绝缘层，在第二绝缘层的中心设置有顶部正电极区；在第二绝缘层的上方设置有顶部互联线层，顶部正电极区与上电极正区、顶部互联线层电学导通；所述第一绝缘层、上电极负区、中间互联线与上电极正区等厚，所述第一绝缘层与压电层外缘轮廓的形状和大小均相同；所述第二绝缘层与顶部正电极区等厚；在第二绝缘层的中心设置有与顶部正电极区相适配的第一通孔，顶部正电极区嵌入第一通孔中。

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