申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日：2019-10-11

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN110868190B

主分类号：H03H9/15

分类号：H03H9/15;H03H3/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2020.03.31#实质审查的生效;2020.03.06#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。

主权项：1.一种声学谐振器封装结构，其特征在于，包括：基板，设置有第一焊盘和外围焊盘，所述外围焊盘围绕所述第一焊盘；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底和多层结构；所述多层结构形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；盖帽，设有焊盘密封件和外围焊盘密封件，所述焊盘密封件键合在所述第一焊盘周边，所述外围焊盘密封件与所述外围焊盘连接，使所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间，所述盖帽上设有通孔，所述通孔位于所述第一焊盘上方，为连接到第一焊盘的电气连接提供通路；材料层区域，设置在所述密封空间内所述盖帽的第一盖帽表面上，所述材料层区域由比所述盖帽电阻率低的材料组成，且与所述焊盘密封件电隔离；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接；所述多层结构的制备过程包括：在衬底上形成屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述衬底上除预设区域之外的区域，所述屏蔽层的作用为使得衬底上覆盖屏蔽介质部分的反应速率低于未覆盖屏蔽介质部分的反应速率；对形成屏蔽层的衬底进行预处理，控制衬底上与所述预设区域对应的部分发生预设反应，得到牺牲材料部分；去除预处理后的衬底屏蔽层；在去除屏蔽层后的衬底上形成多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；移除所述牺牲材料部分；其中，所述对形成屏蔽层的衬底进行预处理，控制衬底上与所述预设区域对应的部分发生预设反应，得到牺牲材料部分，包括：将所述衬底置于氧化气氛中进行氧化处理，控制衬底上与所述预设区域对应的部分发生氧化反应，得到牺牲材料部分；所述将所述衬底置于氧化气氛中进行氧化处理，包括：在预设范围的工艺温度环境中，向所述衬底通入高纯氧气，以使得所述衬底上与所述预设区域对应的部分生成氧化层；经过第一预设时间后，停止向所述衬底通入高纯氧气，通过湿氧氧化、氢氧合成氧化和高压水汽氧化中的一种或多种方式，使得衬底上的氧化层厚度达到预设厚度；停止向所述衬底通入湿氧并向所述衬底通入高纯氧气，经过第二预设时间后完成对所述衬底的氧化处理；所述预设范围为1000℃～1200℃，所述第一预设时间为20分钟～140分钟，所述预设厚度为0.4μm～4μm，所述第二预设时间为20分钟～140分钟，所述高纯氧气的流量为3L分钟～15L分钟。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 声学谐振器封装结构及其制备方法

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