申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2023-09-11

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727692A

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78;B23K26/38;B23K26/70

优先权：["20220916 JP 2022-147564"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：本发明提供芯片的制造方法，能够抑制芯片的品质降低。该芯片的制造方法将被加工物沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，该芯片的制造方法包含如下的步骤：改质区域形成步骤，将对于被加工物具有透过性且会聚于第1聚光点和第2聚光点的激光束在沿着分割预定线而将第1聚光点和第2聚光点定位于被加工物的内部的状态下，沿着分割预定线进行照射，由此在被加工物的内部形成多个改质区域；以及分割步骤，通过对被加工物赋予外力，以改质区域为分割起点而将被加工物沿着分割预定线分割成各个芯片，在改质区域形成步骤中，按照在定位有第1聚光点的区域形成改质区域并且将第2聚光点定位成与形成于被加工物的其他的改质区域重叠的状态照射激光束。

主权项：1.一种芯片的制造方法，将被加工物沿着分割预定线分割成多个芯片，其特征在于，该芯片的制造方法包含如下的步骤：改质区域形成步骤，将对于该被加工物具有透过性且会聚于第1聚光点和第2聚光点的激光束在沿着该分割预定线而将该第1聚光点和该第2聚光点定位于该被加工物的内部的状态下，沿着该分割预定线进行照射，由此在该被加工物的内部形成多个改质区域；以及分割步骤，通过对该被加工物赋予外力，以该改质区域为分割起点而将该被加工物沿着该分割预定线分割成各个该芯片，在该改质区域形成步骤中，按照在定位有该第1聚光点的区域形成该改质区域并且将该第2聚光点定位成与形成于该被加工物的其他的该改质区域重叠的状态照射该激光束。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 芯片的制造方法

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