申请/专利权人：北京大学

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727635A

主分类号：H01L21/34

分类号：H01L21/34;H01L21/44;H01L21/02;H01L27/092;H01L29/786;H01L29/417

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法，通过调整电极材料功函数和二维材料导电类型形成边缘接触的二维晶体管并调控其极性。以不同功函数的电极材料作为二维材料生长的起始点，引导二维材料在晶圆上精确位置的选择性生长，实现晶圆范围尺度的、高迁移率二维晶体管的阵列制备；电极边缘与二维材料的接触区域即为源漏接触区域，通过不同功函数的电极材料诱导，实现不同输运极性的晶体管的制备。本发明解决了高取向二维材料薄膜制备困难、薄膜尺寸受限制、晶体管极性调控困难等问题，实现了半导体二维材料与电极的高质量接触，获得具有空间均匀性和电学性能均匀性的P型和N型晶体管。

主权项：1.一种二维材料晶体管的制备方法，所述晶体管以二维材料为沟道，其特征在于，所述晶体管的制备过程包括：以绝缘介质为外延衬底，先在衬底上沉积电极材料，通过图形化工艺获得至少两个电极；然后通过化学气相沉积沿电极边缘外延二维材料薄膜至连接两个电极，二维材料与电极之间形成欧姆接触；刻蚀二维材料薄膜定义沟道，二维材料沟道两端的电极为源漏电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法

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